2.2　PN结

图2.1描述了电子从价带到导带的运动。

图2.1　一个电子移动到导带，在价带留下一个空穴

2.2.1　费米能级

图2.2显示了本征硅、P型硅、N型硅和PN结二极管的费米能级。

图2.2　各种结构的费米能级

2.2.2　耗尽层电容

PN结的形成导致在PN界面处形成耗尽层。耗尽层是指可动空穴或电子耗尽的区域。如图2.3所示，空穴穿过PN结，到达右边。

图2.3　PN结耗尽层形成

图2.4显示了一个N阱/P衬底二极管。图2.5显示了二极管反向时的总二极管耗尽电容。

图2.4　结的底部和两侧的PN结

图2.5　二极管耗尽电容与二极管反向电压的关系

2.2.3　存储电容

图2.6描述了正向偏置二极管中的电荷分布。二极管反向恢复测试电路如图2.7所示。

图2.6　正向偏置二极管中的电荷分布

图2.7　二极管反向恢复测试电路